Aktive Parasiten innerhalb des Halbleiters entstehen durch Kombination von Grenzschichten unterschiedlich dotierter Gebiete wie npn, pnp oder pnpn. Solche Kombinationen bilden zum Beispiel bipolare Nutztransistoren. Es kommt aber auch zu parasitären Kombinationen solcher Gebiete, aus denen parasitäre bipolare Transistoren entstehen. Besonders gefährlich können dabei pnpn-Kombinationen sein. Diese bilden einen Thyristor, der durch ungünstige Potentialverteilungen zum Zünden gebracht werden kann. Dadurch fließen sehr große parasitäre Ströme, die den Halbleiter zerstören können. Dieses Zünden wird als Latch-Up-Effekt bezeichnet.