Passive Parasiten im Halbleiter entstehen sowohl an den Grenzflächen unterschiedlich dotierter Gebiete, als auch innerhalb homogen dotierter Gebiete. An einem pn-Übergang entsteht eine Kapazität, deren Kapazitätswert von der Spannung über der Grenzschicht abhängt. Innerhalb homogen dotierter Halbleiter ergeben sich parasitäre Widerstände und Kapazitäten aus den Materialeigenschaften. Das Bild zeigt beispielhaft passive parasitäre Elemente zwischen zwei Wannen.